单结晶体管，英文名称为Unipolarjunctiontransisor，简写为UJT，是一种只要一个PN结和两个电阻触摸电极的半导体器材，其基片为条状的高阻N型硅片，两头别离引出两个基极b1和b2，在硅片中心略偏b2一侧用合金法制造一个P区作为发射极e。因此在前期也将其称为双基极二极管，现在简称为基极二极管。单结晶体管的结构、符号及其等效电路如下图所示。
调查单结晶体管的特性，首先在两个基极之间加电压UBB，如图a所示;再在发射极E和榜首基极B1之间加上电压UE，UE能够用电位器RP进行调理，如图b所示(将单结晶体管用一个PN结和二个电阻RB1、RB2等效构成)。
1、当发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通。导通之后，当发射极电压小于谷点电压UV时，单结晶体管就康复截止。
2、单结晶体管的峰点电压UP与外加固定电压UBB及其分压比有关。而分压比是由管子结构决议的，能够看做常数。关于分压比不同的管子，或许外加电压UBB的数值不一起，峰值电压UP也就不同。
3、不同单结晶体管的谷点电压UV和谷点电流IV都不相同。谷点电压大约在2~5V之间。在触发电路中，常选用稍大一些、UV低一些和IV大一些的单结管，以增大输出脉冲幅度和移相规模。
当UE=UBB+UD时，单结晶体管内涵PN结导通，发射极电流IE忽然增大。把这个骤变点称为峰点P，对应的电压UE和电流IE别离称为峰点电压UP和峰点电流IP。
当发射极电流IE增大到某一数值时，电压UE下降到最低点。特性由线上的这一点称为谷点V，与此点相对应的是谷点电压UV和谷点电流IV。
